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2016年11月23日 - 【专利摘要】一种新型肖特基二极管,包括半导体衬底,所述半导体衬底设有高压N阱区,多个沟槽或场氧结构将高压N阱区分隔为阳极区和阴极区,在W方向上看,所...

2019年9月27日 - Time 贴片 PRV Io@TA IFM(Surge) IR IFM VFM Trr Vpk Aav ℃ Apk UAds Apk Vpk ns 1.0AMPERE SCHOTTKY 肖特基二极管 20 1.O 90 25 0.5 1.O 0.45 ┅ SM...

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